磊晶製程 EPI
Step 1 從製程痛點出發
從製程痛點出發
磊晶EPI製程問題與挑戰
磊晶（Epitaxy）EPI製程是一種關鍵的半導體製程技術，用於在基板上沉積高品質的薄膜層。該技術對半導體元件的性能和可靠性至關重要。然而，在磊晶EPI製程中存在一些常見的問題和挑戰，主要包括：
- 薄膜厚度不均：氣體流量和溫度控制不穩，導致薄膜厚度不均，影響薄膜質量。
- 熱傳導問題：不均勻的熱傳導會引起薄膜內部應力和缺陷，影響薄膜的質量和均勻性。此外，晶圓在加熱過程中變形或塌陷，可能接觸到零配件，進而導致產引產品失效。
- 結晶質量：基板上的缺陷（如晶格不匹配、缺陷或污染）可能會影響薄膜的結晶過程，從而降低薄膜的結晶質量和整體可靠性。
- 污染與材料：環境污染和材料純度問題會降低薄膜品質。
Step 2
建立檢測手法並取得數據
在磊晶製程中，支撐晶圓的零配件，如承載盤，對外延層的品質和晶圓均勻度有直接影響。由於零配件不僅直接接觸晶圓，還因其材料特性形成二次熱源，因此對溫度均勻性和磊晶材料的厚度分佈有顯著影響。
為了確保製程穩定性和薄膜質量，我們對製程零配件進行詳細的物理性質檢測，包括輪廓、表面粗糙度和污染物殘留等，並建立零件品質指標（PQI）。這些檢測有助於確保零配件的性能，以提升磊晶製程的穩定性。
Step 3
零件檢測數據可視化 | 電子化履歷
將關鍵檢測結果分析與收集，並運用SPC手法，顯示多樣量測數據的變異性，找出零件品質規範上下限(UCL / LCL)。通過電子化履歷數據的趨勢分析，以數據驅動的方法來管理和提升零件的品質。如果發現趨勢顯示零件品質逐漸偏離設定的上下限，我們可以及時幫助客戶發現並調整零配件品質，以保持產品品質的穩定性。(SPC Chart)
客戶見證效益
- 提升晶圓外延層的質量和均勻性
- 增加晶圓的平整度和一致性
- 增强承載盤的耐腐蝕性和使用壽命
- 最大化製程效率，降低產品品質失效風險