蝕刻製程 ETCH

蝕刻（Etch）製程是半導體製造中的關鍵步驟，用於移除材料以形成所需的結構。此製程涉及化學或物理方法來選擇性地蝕刻基板上的材料。然而，蝕刻製程中存在一些常見的問題和挑戰，包括：

1. 蝕刻深度不均：蝕刻過程中，氣體流量和反應條件的不均勻會導致蝕刻深度不一致，影響結構精度和性能。
2. 側壁斜率問題：不穩定的蝕刻條件可能導致蝕刻側壁的斜率不符合要求，從而影響元件的功能和可靠性。
3. 材料殘留物：蝕刻過程中可能留下殘留材料（如碳化物或未完全去除的材料），這些殘留物會影響後續製程或導致品質缺陷。
4. 化學品控制：化學品的純度和流量會影響蝕刻效果，造成蝕刻不均或不完全，進而影響最終產品的質量。
5. 結構損傷：過度蝕刻或不均勻蝕刻可能損壞基板結構，導致製程失效或產品性能下降。