技術原理 | 利用高能X射線激發樣品放出特定元素的螢光，用以定性定量分析

應用 | 零件表面微汙染(製程殘留汙染/副產物)檢測、元素分析

設計目的 |

CVD製程與蝕刻製程腔體內，由於會使用特氣及化學品，常見副產物與殘留汙染留在腔體重要零配件上，進而影響到製程之均勻性及良率，包含包括膜厚度、均勻性、偏移率和NH3流量等

系統特色 |

• 非破壞性，精準無損檢測
• 廣泛元素檢測，含銅(金屬污染)、氟(清洗殘留)

實績案例|

• 以FCVD製程應用為例，會造成Dep.與Clean過程中，RPS腔體內部和零配件表面會受到電漿中H和F的影響，如Dome表面的化學組成會造成表面粗糙度與反射率改變，進而到製程結果。透過工件元素濃度分布檢測 了解半導體零件氟殘留，掌握零配件性能，進而調整符合現場的配方要求，穩定製程結果

客戶效益 |

• 建立精準PM&PAR 指標
• 節省調機人力
• 降低監控負擔 提高量測產能
• 增加tool uptime 不塞貨